- Ανάπτυξη κρυστάλλων: ανάπτυξη κρυστάλλων από τήγμα Si, ανάπτυξη κρυστάλλων από Si με την διεργασία κινητής ζώνης, ανάπτυξη κρυστάλλων GaAs, χαρακτηρισμός υλικών, μέθοδοι επιταξιακής ανάπτυξης, δομές και ατέλειες σε επιταξιακά στρώματα. - Σχηματισμός υμενίων: θερμική οξείδωση, χημική απόθεση διηλεκτρικών υμενίων, χημική απόθεση υμενίων πολυκρυσταλλικού Si, εναπόθεση ατομικού στρώματος, θερμική εξάχνωση, εξάχνωση με δέσμη ηλεκτρονίων, τεχνική θρυμματισμού.
- Λιθογραφία και εγχάραξη: οπτική λιθογραφία, υγρή χημική εγχάραξη, ξηρή εγχάραξη, λιθογραφικές μέθοδοι νέας γενιάς.
- Εισαγωγή προσμίξεων σε ημιαγωγούς – νόθευση: η βασική διεργασία διάχυσης, διεργασίες διάχυσης, εμφύτευση ιόντων, καταστροφή πλέγματος λόγω εμφύτευσης και αποκατάσταση με ανόπτηση.
- Κατασκευή ολοκληρωμένων κυκλωμάτων και διατάξεων: παθητικά στοιχεία, διπολική τεχνολογία, τεχνολογία MOS FET, προκλήσεις για το πεδίο της νανο-ηλεκτρονικής.
- Τεχνικές συσκευασίας: θόρυβος εξ επαγωγής και τεχνικές αποφυγής του, τεμαχισμός υποστρωμάτων, wire bonding, πολυμερική συσκευασία, τεχνικές συσκευασίας ηλεκτρονικών υλικών και διατάξεων, τεχνολογία παχέων και υβριδικών κυκλωμάτων.
Εργαστήριο: Προσομοίωση μικροηλεκτρονικών κατασκευών.
- Διδάσκων: Ευάγγελος Χριστοφόρου
Διδακτικές Μονάδες : 3
Φόρτος Εργασίας : theory 2, lab 1
Γλώσσα : el
Μαθησιακά Αποτελέσματα : Στα πλαίσια του μαθήματος ο φοιτητής ενημερώνεται για: (1) τεχνολογίες παραγωγής και χαρακτηρισμού υποστρωμάτων ολοκληρωμένων κυκλωμάτων, (2) ανάπτυξη λεπτών υμενίων στα υποστρώματα αυτά, (3) τεχνικές εμφύτευσης και διάχυσης προσμίξεων, (4) τεχνικές λιθογραφίας και εγχάραξης, (5) τεχνικές συσκευασίας μικροηλεκτρονικών κυκλωμάτων